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Product Info: |
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| Current product | First Possible replacement | ||||||||||||||||||||||
| Image: |
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| Mouser Part No: | 747-IXFK250N10P | 747-IXFK420N10T | |||||||||||||||||||||
| Mfr.'s Part No: | IXFK250N10P | IXFK420N10T | |||||||||||||||||||||
| Manufacturer: | IXYS | IXYS | |||||||||||||||||||||
| Description: | MOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET | MOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A | |||||||||||||||||||||
| Lifecycle: | - | - | |||||||||||||||||||||
| Datasheet: | IXFK250N10P Datasheet | IXFK420N10T Datasheet | |||||||||||||||||||||
| RoHS: | |||||||||||||||||||||||
Specifications |
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| Brand: | IXYS | IXYS | |||||||||||||||||||||
| Channel Mode: | Enhancement | Enhancement | |||||||||||||||||||||
| Configuration: | Single | Single | |||||||||||||||||||||
| Country of Assembly: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||
| Country of Diffusion: | Not Available | Not Available | |||||||||||||||||||||
| Country of Origin: | KR | PH | |||||||||||||||||||||
| Fall Time: | 18 ns | 255 ns | |||||||||||||||||||||
| Forward Transconductance - Min: | 50 S | 110 S | |||||||||||||||||||||
| Id - Continuous Drain Current: | 250 A | 420 A | |||||||||||||||||||||
| Maximum Operating Temperature: | + 175 C | + 175 C | |||||||||||||||||||||
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | - 55 C | |||||||||||||||||||||
| Mounting Style: | Through Hole | Through Hole | |||||||||||||||||||||
| Number of Channels: | 1 Channel | 1 Channel | |||||||||||||||||||||
| Package/Case: | TO-264-3 | TO-264-3 | |||||||||||||||||||||
| Packaging: | Tube | Tube | |||||||||||||||||||||
| Pd - Power Dissipation: | 1.25 kW | 1.67 kW | |||||||||||||||||||||
| Product Type: | MOSFETs | MOSFETs | |||||||||||||||||||||
| Qg - Gate Charge: | 205 nC | 670 nC | |||||||||||||||||||||
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.5 mOhms | 2.6 mOhms | |||||||||||||||||||||
| Rise Time: | 30 ns | 155 ns | |||||||||||||||||||||
| Series: | IXFK250N10 | IXFK420N10 | |||||||||||||||||||||
| Standard Pack Qty: | 25 | 25 | |||||||||||||||||||||
| Subcategory: | Transistors | Transistors | |||||||||||||||||||||
| Technology: | Si | Si | |||||||||||||||||||||
| Tradename: | HiPerFET | HiPerFET | |||||||||||||||||||||
| Transistor Polarity: | N-Channel | N-Channel | |||||||||||||||||||||
| Transistor Type: | 1 N-Channel | - | |||||||||||||||||||||
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns | 115 ns | |||||||||||||||||||||
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns | 47 ns | |||||||||||||||||||||
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | 100 V | |||||||||||||||||||||
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, 20 V | - 20 V, 20 V | |||||||||||||||||||||
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V | 5 V | |||||||||||||||||||||
Ordering Information |
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| Stock: | 88 Can Dispatch Immediately | 168 Can Dispatch Immediately | |||||||||||||||||||||
| On Order: |
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| Factory Lead Time: | 26 Weeks Estimated factory production time for quantities greater than shown. |
24
Weeks Estimated factory production time for quantities greater than shown.
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| Buy: |
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| Pricing: |
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